Infineon IHW50N65R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,05

(excl. BTW)

€ 7,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,025€ 6,05
20 - 48€ 2,73€ 5,46
50 - 98€ 2,545€ 5,09
100 - 198€ 2,36€ 4,72
200 +€ 1,51€ 3,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6646
Fabrikantnummer:
IHW50N65R5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

282W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Resonant Switching

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links