Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V
- RS-stocknr.:
- 244-5825
- Fabrikantnummer:
- FF300R12KT4HOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 153,40
(excl. BTW)
€ 185,61
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 1 | € 153,40 |
| 2 - 4 | € 150,32 |
| 5 + | € 135,29 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 244-5825
- Fabrikantnummer:
- FF300R12KT4HOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 450A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1600W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | FF | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 450A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1600W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series FF | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6.4 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gerelateerde Links
- Infineon IGBT Module, 450 A 1200 V
- Infineon IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon FF450R12ME7B11BPSA1 IGBT Module 11-Pin AG-ECONOD, Surface
- Infineon 450 A 1200 V Clamp
- Infineon FF450R12KT4HOSA1 450 A 1200 V Clamp
- Infineon 450 A 1200 V Clamp
- Infineon FF300R12ME4B11BPSA1 450 A 1200 V Clamp
- Infineon 450 A 1200 V Through Hole