Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.425,00

(excl. BTW)

€ 1.725,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,57€ 1.425,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
253-3499
Fabrikantnummer:
BIDD05N60T
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

82 W

Package Type

TO-252

Configuration

Single Diode

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant

Gerelateerde Links