Infineon IKB10N60TATMA1 IGBT, 24 A 600 V TO-263

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,06

(excl. BTW)

€ 10,965

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 945 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 1,812€ 9,06
25 - 45€ 1,632€ 8,16
50 - 120€ 1,54€ 7,70
125 - 245€ 1,43€ 7,15
250 +€ 1,324€ 6,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-7725
Fabrikantnummer:
IKB10N60TATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

24A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Package Type

TO-263

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Series

TRENCHSTOPTM

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode

High ruggedness, temperature stable behaviour

Low gate charg

Gerelateerde Links