Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 117 A 650 V Module, Panel

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 15 eenheden)*

€ 603,345

(excl. BTW)

€ 730,05

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
15 - 90€ 40,223€ 603,35
105 +€ 36,871€ 553,07

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7362
Fabrikantnummer:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

117A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

56.7 mm

Standards/Approvals

UL (E83335)

Length

62.8mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat

Compact design

Rugged mounting

Low inductive design

Low Switching Losses

Gerelateerde Links