STMicroelectronics STGW20NC60VD, Type N-Channel IGBT, 54 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,44

(excl. BTW)

€ 4,16

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • 41 stuk(s) klaar voor verzending
  • 61 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 372 stuk(s) vanaf 25 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,44
10 - 99€ 3,22
100 - 499€ 3,12
500 - 999€ 3,04
1000 +€ 2,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
686-8354
Fabrikantnummer:
STGW20NC60VD
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

54A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

70ns

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

SMPS

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

JEDEC

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links