Fabrikantnummer

onsemi NGTG15N60S1EG IGBT, 30 A 600 V, 4-Pin TO-220, Through Hole

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	ON Semiconductor
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	117 W
	Package Type	TO-220
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	4
	Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75mm
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Alles selecteren
	Merk ON Semiconductor
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 117 W
	Package Type TO-220
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 4
	Dimensions 10.28 x 4.82 x 15.75mm
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Gerelateerde Links

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.