STMicroelectronics STGW20V60F, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,24

(excl. BTW)

€ 18,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5 stuk(s) vanaf 19 februari 2026
  • Plus verzending 30 stuk(s) vanaf 06 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,048€ 15,24
25 - 45€ 2,896€ 14,48
50 - 120€ 2,604€ 13,02
125 - 245€ 2,344€ 11,72
250 +€ 2,23€ 11,15

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
791-7621
Fabrikantnummer:
STGW20V60F
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

V

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Standards/Approvals

Lead free package

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links