STMicroelectronics STGW20V60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,98

(excl. BTW)

€ 20,545

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 205 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,396€ 16,98
10 - 20€ 2,94€ 14,70
25 - 95€ 2,822€ 14,11
100 - 495€ 2,30€ 11,50
500 +€ 2,02€ 10,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
791-9374
Fabrikantnummer:
STGW20V60DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links