onsemi, Single Type N-Channel JFET-Channel JFET 2 mA, 3-Pin TO-92
- RS-stocknr.:
- 145-5347
- Fabrikantnummer:
- J113
- Fabrikant:
- onsemi
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 zak van 1000 eenheden)*
€ 99,00
(excl. BTW)
€ 120,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 10.000 stuk(s) vanaf 02 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per Zak* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,099 | € 99,00 |
| 2000 + | € 0,093 | € 93,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 145-5347
- Fabrikantnummer:
- J113
- Fabrikant:
- onsemi
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Sub Type | JFET | |
| Product Type | JFET | |
| Configuration | Single | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-92 | |
| Drain Source Current Ids | 2 mA | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.33mm | |
| Length | 5.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Sub Type JFET | ||
Product Type JFET | ||
Configuration Single | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-92 | ||
Drain Source Current Ids 2 mA | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.33mm | ||
Length 5.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.