Nexperia PSM N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN3R7-100BSEJ
- RS-stocknr.:
- 219-347
- Fabrikantnummer:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Fabrikant:
- Nexperia
Subtotaal (800 eenheden, op een rol van 800)*
€ 3.837,60
(excl. BTW)
€ 4.643,20
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 04 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 800 + | € 4,797 | € 3.837,60 |
*prijsindicatie
Alternatief
Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.
Elk (op een haspel van 800)
€ 2.876,80
(excl. BTW)
€ 3.480,93
(incl. BTW)
- RS-stocknr.:
- 219-347
- Fabrikantnummer:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 176nC | |
| Minimum Operating Temperature | 25°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 405W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 176nC | ||
Minimum Operating Temperature 25°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 405W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET features very low RDS(on) and enhanced safe operating area performance. It is optimized for hot-swap controllers, capable of withstanding high inrush currents and minimizing I²R losses for improved efficiency. Applications include hot-swap, load switching, soft start, and e-fuse.
SOA for superior linear mode operation
LFPAK88 package for applications that demand the highest performance
Gerelateerde Links
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN3R7-100BSEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN4R8-100BSEJ
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R9-100YSFX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN3R2-40YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN4R5-80YSFX