Fabrikantnummer

onsemi NTBL N-Channel MOSFET, 37 A, 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL075N065SC1

RS-stocknr.:: 220-564
Fabrikantnummer:: NTBL075N065SC1
Fabrikant:: onsemi

onsemi NTBL N-Channel MOSFET, 37 A, 650 V Enhancement, 8-Pin HPSOF-8L NTBL075N065SC1

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 7,56

(excl. BTW)

€ 9,15

(incl. BTW)

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Rol(len)	Per rol
1 - 9	€ 7,56
10 - 99	€ 6,82
100 - 499	€ 6,28
500 - 999	€ 5,83
1000 +	€ 4,73

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 220-564
Fabrikantnummer:: NTBL075N065SC1
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	NTBL
	Package Type	HPSOF-8L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	85mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	4.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	139W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	9.9mm
	Width	10.38mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	2.3mm

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series NTBL
	Package Type HPSOF-8L
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 85mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 4.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 139W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 9.9mm
	Width 10.38mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 2.3mm

Datasheet - NTBL075N065SC1

Land van herkomst:: PH

The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

High Speed Switching with Low Capacitance

RoHS Compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.