Microchip N-Channel DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 9 V Depletion Mode, 5-Pin SOT-23-5 LND250K1-G

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.872,00

(excl. BTW)

€ 2.265,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,624€ 1.872,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
598-794
Fabrikantnummer:
LND250K1-G
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N-Channel DMOS FET

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

9V

Package Type

SOT-23-5

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Depletion Mode

Minimum Operating Temperature

-25°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

RoHS, ISO/TS‑16949

Width

1.75 mm

Length

3.05mm

Height

1.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TH
The Microchip High voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND250 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Excellent thermal stability

Integral source drain diode

High input impedance and low CISS

ESD gate protection

Gerelateerde Links