ROHM RD3 N-Channel Single MOSFETs, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS-stocknr.:
- 646-544P
- Fabrikantnummer:
- RD3P04BBKHRBTL
- Fabrikant:
- ROHM
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal 100 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*
€ 67,20
(excl. BTW)
€ 81,30
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 90 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 100 - 490 | € 0,672 |
| 500 - 990 | € 0,604 |
| 1000 + | € 0,478 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 646-544P
- Fabrikantnummer:
- RD3P04BBKHRBTL
- Fabrikant:
- ROHM
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | RD3 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 10.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series RD3 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Height 2.3mm | ||
Length 10.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 100 volt 36 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified