Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs, 2.17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,31

(excl. BTW)

€ 0,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,31
25 - 99€ 0,28
100 - 499€ 0,25
500 - 999€ 0,22
1000 +€ 0,19

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-087
Fabrikantnummer:
SI2122DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI2122DS

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for compact, high-efficiency switching in low-power applications. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a SOT-23 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

Gerelateerde Links