Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs, 42.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,61

(excl. BTW)

€ 0,74

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,61
25 - 99€ 0,59
100 - 499€ 0,58
500 - 999€ 0,49
1000 +€ 0,46

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-133
Fabrikantnummer:
SISS5812DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK

Series

SISS5812DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

44.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.40mm

Height

0.83mm

Standards/Approvals

No

Width

3.40 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for AI server power solutions, DC/DC converters, and load switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links