Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs, 42.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5812DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.311,00

(excl. BTW)

€ 1.587,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,437€ 1.311,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-132
Fabrikantnummer:
SISS5812DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK

Series

SISS5812DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

44.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.83mm

Length

3.40mm

Width

3.40 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for AI server power solutions, DC/DC converters, and load switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links