Fabrikantnummer

Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

RS-stocknr.:: 653-196
Fabrikantnummer:: SIR5607DP-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 2,38

(excl. BTW)

€ 2,88

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

5.982 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 9	€ 2,38
10 - 24	€ 2,32
25 - 99	€ 2,27
100 - 499	€ 1,92
500 +	€ 1,81

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-196
Fabrikantnummer:: SIR5607DP-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	90.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIR5607DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.007Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 90.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerPAK
	Series SIR5607DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.007Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5607DP-T1-UE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay P-channel MOSFET designed for efficient switching in Compact power systems. It supports up to 60 V drain-source voltage and is housed in a PowerPAK SO-8 package. Built using TrenchFET Gen V technology, it offers very low RDS(on), which minimizes voltage drop and conduction losses.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.