STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP100N8F6

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,73

(excl. BTW)

€ 0,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 786 stuk(s) vanaf 06 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 0,73

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
719-658
Fabrikantnummer:
STP100N8F6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

STP

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.4 mm

Length

15.75mm

Height

4.6mm

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss

Gerelateerde Links