Infineon Half Bridge XHP 2 N channel-Channel MOSFET Modules, 160 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 389,77

(excl. BTW)

€ 471,62

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 18 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 389,77

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-884
Fabrikantnummer:
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

160A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-EASY2B

Series

XHP 2

Mount Type

Screw

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3μC

Forward Voltage Vf

5.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET half-bridge module offers 200A continuous drain current. It boasts a breakdown voltage of 1200 V and supports rugged mounting with integrated clamps and contact technology.

Low switching losses

High current density

Integrated mounting clamps

NTC temperature sensor

Pre-applied thermal Interface material

Gerelateerde Links