Infineon Half Bridge C Series N channel-Channel MOSFET Modules, 185 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin AG-62MMHB

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 451,76

(excl. BTW)

€ 546,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 451,76

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-898
Fabrikantnummer:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET Modules

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

185A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-62MMHB

Series

C Series

Mount Type

Screw

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.62mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.65μC

Forward Voltage Vf

6.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

106.4mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
HU
The Infineon CoolSiC Trench MOSFET half bridge module features voltage rating of 2000 V and supports high current density. It is suitable for UPS systems, DC/DC converter, High-frequency switching application, Solar applications, Energy storage systems (ESS), and DC charger for EV.

Low switching losses

High current density

Qualified for industrial applications

4 kV AC 1 min insulation

Gerelateerde Links