Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 26.6 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R075M2HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,32

(excl. BTW)

€ 6,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,32
10 - 49€ 4,31
50 - 99€ 3,30
100 +€ 2,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-920
Fabrikantnummer:
IMZA65R075M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247-4

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

111W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.1mm

Length

21.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.

Ultra‑low switching losses

Enhances system robustness and reliability

Facilitates great ease of use and integration

Reduces the size, weight and bill of materials of the systems

Gerelateerde Links