Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 207 A, 1400 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMYR140R008M2HXLSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 45,28

(excl. BTW)

€ 54,79

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 45,28
10 - 24€ 40,75
25 +€ 33,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-946
Fabrikantnummer:
IMYR140R008M2HXLSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

207A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1400V

Package Type

PG-TO247-4

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

710W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

203nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

23.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET features a 1400 V rating and a current capability of 147 A at 100°C, with a low on-resistance of 8.5 mΩ. It supports high thermal performance and can withstand short circuits for 2 μs. The device is designed with robust parasitic turn-on protection and a high creepage distance.

Very low switching losses

Robust body diode for hard commutation

Wide power pins for high current capability

Resistive weldable pins for direct busbar connections

Gerelateerde Links