STMicroelectronics STB Series N channel-Channel MOSFET, 56 A, 250 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-263 STB25N018M9

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
830-840
Fabrikantnummer:
STB25N018M9
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-263

Series

STB Series

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

320W

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

85nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.3mm

Height

4.5mm

Width

10mm

Standards/Approvals

ROHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is an N-channel super-junction component built on Advanced MDmesh M9 technology. It enables smaller more Compact layouts without compromising thermal capacity.

D2PAK surface-mount assembly package style

Silicon-based multi-drain manufacturing process

Low gate charge with outstanding efficiency

Enhanced dv/dt capability and avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.