Vishay TrenchFET N channel-Channel Power MOSFET, 40 A, 80 V N, 8-Pin SO-8 SIDR178DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 3,29

(excl. BTW)

€ 3,98

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 3,29
10 - 99€ 2,15
100 - 499€ 1,51
500 - 999€ 1,26
1000 +€ 1,19

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
851-501
Fabrikantnummer:
SIDR178DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0029Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.04mm

Width

5.25mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Length

6.05mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
TW
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET, designed to enable efficient power switching applications. Its capabilities ensure reliable operation within varying voltage and current ranges.

TrenchFET technology ensures low on-resistance and high efficiency

Top side cooling improves thermal transfer capabilities

Lead-free and halogen-free construction supports environmental compliance

Fully tested for reliability with 100% R and UIS tests

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.