Fabrikantnummer

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA

RS-stocknr.:: 122-3286
Fabrikantnummer:: ZXMC4559DN8TA
Fabrikant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA

Momenteel niet beschikbaar

We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.

RS-stocknr.:: 122-3286
Fabrikantnummer:: ZXMC4559DN8TA
Fabrikant:: DiodesZetex

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	DiodesZetex
	Transistor Configuration	Isolated
	Number of Elements per Chip	2
	Channel Type	Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	4.7 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Forward Voltage (Vf)	850 mV
	Height	1.5 mm
	Length	4.95 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	75 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	2.1 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	11 nC
	Width	3.95 mm

	Alles selecteren
	Merk DiodesZetex
	Transistor Configuration Isolated
	Number of Elements per Chip 2
	Channel Type Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 4.7 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Automotive Standard AEC-Q101
	Forward Voltage (Vf) 850 mV
	Height 1.5 mm
	Length 4.95 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 75 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 2.1 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 11 nC
	Width 3.95 mm

Land van herkomst:: CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.