IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 31,13

(excl. BTW)

€ 37,67

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 7 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 72 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 31,13
2 - 4€ 27,20
5 - 9€ 26,30
10 - 19€ 25,62
20 +€ 25,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
125-8043
Fabrikantnummer:
IXFN420N10T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

420A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

670nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links