IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 271,10

(excl. BTW)

€ 328,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 27,11€ 271,10

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4577
Fabrikantnummer:
IXFN360N10T
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links