Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 3.222,00

(excl. BTW)

€ 3.900,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,074€ 3.222,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
134-9160
Fabrikantnummer:
SIR668DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links