Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 159,00

(excl. BTW)

€ 192,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,053€ 159,00
6000 - 12000€ 0,05€ 150,00
15000 +€ 0,048€ 144,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
145-9487
Fabrikantnummer:
2N7002DWH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.96V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Length

2mm

Standards/Approvals

No

Width

1.25 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links