Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
146-4445
Fabrikantnummer:
SQ2361ES-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SQ

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.177Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Width

1.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

TrenchFET® power MOSFET

Material categorization 

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.