Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 271,00

(excl. BTW)

€ 328,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,271€ 271,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
165-7514
Fabrikantnummer:
BSP373NH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

3.5 mm

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links