IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 69 A, 300 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH69N30P

Subtotaal (30 eenheden, in een tube van 30)*

€ 303,48

(excl. BTW)

€ 367,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 10,116€ 303,48

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4472
Fabrikantnummer:
IXFH69N30P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

69A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

49mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

156nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

16.26mm

Height

21.46mm

Width

5.3mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.