DiodesZetex DMN2011UFDF N-Channel MOSFET, 14.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN2011UFDF-7
- RS-stocknr.:
- 168-9549
- Fabrikantnummer:
- DMN2011UFDF-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Subtotaal (3000 eenheden, op een rol van 3000)*
€ 447,00
(excl. BTW)
€ 540,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 15 april 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,149 | € 447,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 168-9549
- Fabrikantnummer:
- DMN2011UFDF-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | UDFN | |
| Series | DMN2011UFDF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.05mm | |
| Height | 580μm | |
| Width | 2.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type UDFN | ||
Series DMN2011UFDF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.05mm | ||
Height 580μm | ||
Width 2.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Land van herkomst:
- CN
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- DiodesZetex DMN2011UFDF N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN2011UFDF-7
- DiodesZetex DMN4010LFG N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMN4010LFG-7
- DiodesZetex DMN3042LFDF N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN3042LFDF-7
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN1008UFDF-7
- DiodesZetex DMT N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMT5015LFDF-7
- DiodesZetex DMT8030LFDF N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMT8030LFDF-7
- DiodesZetex DMT6016LFDF N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMT6016LFDF-7
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMN2022UFDF-7