Infineon Dual IRF7343PbF 1 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
170-2265
Fabrikantnummer:
IRF7343TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

IRF7343PbF

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

0.96V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

Niet conform

The Infineon IRF7343 is the 55V dual N- and P- channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package.

RoHS Compliant

Low RDS(on)

Dynamic dv/dt rating

Fast switching

Gerelateerde Links