Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 132,00

(excl. BTW)

€ 159,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 3.000 stuk(s) vanaf 20 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,044€ 132,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
170-4850
Fabrikantnummer:
BSH111BKR
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

335mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-23

Series

BSH111BK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Length

3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

Gerelateerde Links