ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.197,50

(excl. BTW)

€ 1.450,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 5.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,479€ 1.197,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
172-0384
Fabrikantnummer:
RD3G500GNTL
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

RD3G500GN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.3mm

Standards/Approvals

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Width

6.4 mm

Length

6.8mm

Automotive Standard

No

RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.

Low on - resistance

High power package (TO-252)

Pb-free lead plating

Halogen free

Gerelateerde Links