ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G500GNTL

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 32,025

(excl. BTW)

€ 38,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 6.600 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 +€ 1,281€ 32,03

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
172-0437
Fabrikantnummer:
RD3G500GNTL
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

RD3G500GN

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Width

6.4 mm

Height

2.3mm

Length

6.8mm

Automotive Standard

No

RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.

Low on - resistance

High power package (TO-252)

Pb-free lead plating

Halogen free

Gerelateerde Links