Vishay IRFBE N-Channel Power MOSFET, 3.6 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF30PBF

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
178-0844
Fabrikantnummer:
IRFBF30PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

TO-220AB

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.