onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLWFT1G

Subtotaal (1 verpakking van 30 eenheden)*

€ 23,43

(excl. BTW)

€ 28,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.500 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
30 +€ 0,781€ 23,43

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
195-2556
Fabrikantnummer:
NVMFD6H852NLWFT1G
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

31.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

6.1mm

Width

5.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.05mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

NVMFD6H852NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

Gerelateerde Links