Infineon CoolSiC Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 200 A, 1200 V AG-EASY2B FF6MR12W2M1B11BOMA1

Bekijk alle MOSFETs
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
201-2810
Fabrikantnummer:
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

CoolSiC

Package Type

AG-EASY2B

Mounting Type

Screw Mount

Maximum Drain Source Resistance

0.00825 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.55V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

2

The Infineon 6 mO, 1200 V half bridge module with Silicon Carbide MOSFET, It has NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. It is also available with thermal interface material.

High current density
Low inductive design
Low switching losses
RoHS-compliant modules

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.