onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 29,39

(excl. BTW)

€ 35,562

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • Plus verzending 422 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 14,695€ 29,39

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5705
Fabrikantnummer:
NTHL040N120SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

20.25mm

Height

15.87mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

Gerelateerde Links