onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL160N120SC1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,64

(excl. BTW)

€ 15,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 8 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 304 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,32€ 12,64
20 - 198€ 5,45€ 10,90
200 +€ 4,72€ 9,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5707
Fabrikantnummer:
NTHL160N120SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

20.82mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.87mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

160mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

Gerelateerde Links