STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW50N65DM6

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 16,10

(excl. BTW)

€ 19,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 22 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 8,05€ 16,10
10 +€ 6,92€ 13,84

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-3948
Fabrikantnummer:
STW50N65DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

DM6

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

91mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Gerelateerde Links