Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 2.175,00

(excl. BTW)

€ 2.632,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 2,175€ 2.175,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-7241
Fabrikantnummer:
SIHA125N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

SiHA125N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.7 mm

Standards/Approvals

No

Length

28.1mm

Height

4.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Gerelateerde Links