Vishay SiR826LDP Type N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.452,00

(excl. BTW)

€ 1.758,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,484€ 1.452,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-5004
Fabrikantnummer:
SiR826LDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiR826LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 86 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links