Vishay SiR826LDP Type N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR826LDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,85

(excl. BTW)

€ 15,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 5.970 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,285€ 12,85
100 - 240€ 1,222€ 12,22
250 - 490€ 1,093€ 10,93
500 - 990€ 1,028€ 10,28
1000 +€ 0,965€ 9,65

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5005
Fabrikantnummer:
SiR826LDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiR826LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 86 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links