STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 50 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 90,20

(excl. BTW)

€ 109,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
50 - 95€ 1,804
100 - 245€ 1,412
250 - 995€ 1,384
1000 +€ 1,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-8742P
Fabrikantnummer:
STD15N60DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected