Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,18

(excl. BTW)

€ 12,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.380 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 1,018€ 10,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4384
Fabrikantnummer:
IPD60R180P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links