Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R180P7XKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,85

(excl. BTW)

€ 15,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 340 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 10€ 1,285€ 12,85
20 - 40€ 1,221€ 12,21
50 - 90€ 1,17€ 11,70
100 - 240€ 1,118€ 11,18
250 +€ 1,041€ 10,41

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4416
Fabrikantnummer:
IPP60R180P7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.2mm

Width

15.93 mm

Height

4.4mm

Automotive Standard

No

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links